SIHG21N80AEF-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHG21N80AEF-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHG21N80AEF-GE3-DG

Beschrijving:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 16.3A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Voorraad:

464 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12958996
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHG21N80AEF-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
EF
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1511 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500
Andere namen
742-SIHG21N80AEF-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
micro-commercial-components

MCU15N10-TP

MOSFET N-CH

micro-commercial-components

MCU02N80-TP

MOSFET N-CH

nexperia

PMV13XNEAR

PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN

microchip-technology

MSC035SMA170S

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268