Fabrikant Productnummer:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG22N65E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12964780
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG22N65E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2415 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
227W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG22
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STW28N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
96
DEELNUMMER
STW28N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.56
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ148ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
