Fabrikant Productnummer:
SIHG23N60E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG23N60E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12916909
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG23N60E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2418 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
227W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TA)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG23
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXFH50N60P3
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
386
DEELNUMMER
IXFH50N60P3-DG
EENHEIDSPRIJS
5.53
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPW60R190E6FKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
190
DEELNUMMER
IPW60R190E6FKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.69
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI5486DU-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
