Fabrikant Productnummer:
SIHG80N60E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG80N60E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12787674
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG80N60E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
443 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
520W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG80
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STW88N65M5
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1062
DEELNUMMER
STW88N65M5-DG
EENHEIDSPRIJS
11.14
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SUA70090E-E3
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
