SIHH100N60E-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHH100N60E-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHH100N60E-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Voorraad:

12787034
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHH100N60E-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
174W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 8 x 8
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
SIHH100

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIHH100N60E-T1-GE3DKR
SIHH100N60E-T1-GE3TR
SIHH100N60E-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIJ800DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

vishay-siliconix

SIRA62DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK

vishay-siliconix

SIHG61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC