Fabrikant Productnummer:
SIHJ7N65E-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHJ7N65E-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
12921164
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHJ7N65E-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
598mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
96W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIHJ7
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIHJ7N65E-T1-GE3CT
SIHJ7N65E-T1-GE3TR
SIHJ7N65E-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BUK9629-100B,118
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
DI9942T
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
FDC6392S
MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
