Fabrikant Productnummer:
SIHP105N60EF-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHP105N60EF-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
12918191
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHP105N60EF-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
EF
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SIHP105
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIHG105N60EF-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
463
DEELNUMMER
SIHG105N60EF-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
1.84
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI3493DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
