SIHP33N60EF-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHP33N60EF-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHP33N60EF-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

1000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12915597
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHP33N60EF-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
98mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3454 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
278W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SIHP33

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHP33N60EF-GE3
Datasheets
SIHP33N60EF-GE3
HTML Gegevensblad
SIHP33N60EF-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI7716ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

littelfuse

IXTH500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO247

vishay-siliconix

SI7726DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRFR9214TR

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK