Fabrikant Productnummer:
SIHU4N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHU4N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voorraad:
12920734
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHU4N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
IPAK (TO-251)
Pakket / Doos
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Basis productnummer
SIHU4
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIHU4N80AE-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2995
DEELNUMMER
SIHU4N80AE-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.54
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQ4410EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
SUM50P10-42-E3
MOSFET N-CH 100V 36A TO263
