SIJH5700E-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIJH5700E-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIJH5700E-T1-GE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 150 V 17A (Ta), 174A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Voorraad:

12987365
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIJH5700E-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
150 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
17A (Ta), 174A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 75 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 8 x 8
Pakket / Doos
PowerPAK® 8 x 8

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
742-SIJH5700E-T1-GE3CT
742-SIJH5700E-T1-GE3TR
742-SIJH5700E-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDD4243-G

FDD4243-G

international-rectifier

AUIRFC8407TR

AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL

goford-semiconductor

G65P06F

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F

diodes

DMN2310UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-