Fabrikant Productnummer:
SIJH800E-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIJH800E-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Voorraad:
2396 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12964733
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIJH800E-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
29A (Ta), 299A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10230 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 8 x 8
Pakket / Doos
PowerPAK® 8 x 8
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
742-SIJH800E-T1-GE3TR
742-SIJH800E-T1-GE3CT
742-SIJH800E-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJC7438_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
FDT4N50NZU
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
