SIR426DP-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIR426DP-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR426DP-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

63223 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12921644
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR426DP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR426

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
Q5396740TG
SIR426DP-T1-GE3-DG
SIR426DP-T1-GE3TR
T1317218
SIR426DP-T1-GE3CT
SIR426DP-T1-GE3DKR
SIR426DPT1GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

2N7002ET7G

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

onsemi

2SK4087LS

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220FI

diodes

ZXMN2AM832TA

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

vishay-siliconix

SIHH125N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8