SIR472DP-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIR472DP-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR472DP-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

12786733
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR472DP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR472

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR472DP-T1-GE3DKR
SIR472DPT1GE3
SIR472DP-T1-GE3TR
SIR472DP-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
BSC120N03MSGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
28843
DEELNUMMER
BSC120N03MSGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.19
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
CSD17327Q5A
Fabrikant
Texas Instruments
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2500
DEELNUMMER
CSD17327Q5A-DG
EENHEIDSPRIJS
0.33
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RS1E130GNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1178
DEELNUMMER
RS1E130GNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
0.16
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
BSC120N03LSGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
33689
DEELNUMMER
BSC120N03LSGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

vishay-siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

vishay-siliconix

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23