Fabrikant Productnummer:
SIR584DP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR584DP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 24.7A (Ta), 100A (Tc) 5W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
12974188
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR584DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen V
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24.7A (Ta), 100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 83.3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR584DP-T1-RE3TR
742-SIR584DP-T1-RE3CT
742-SIR584DP-T1-RE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RS6N120BHTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1763
DEELNUMMER
RS6N120BHTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.14
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJMF280N65E1_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
NVTFWS015P03P8ZTAG
PT8P PORTFOLIO EXPANSION
NTTFS4C025NTAG
NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
