Fabrikant Productnummer:
SIR681DP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR681DP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
12948263
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR681DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
11.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4850 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR681
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR681DP-T1-RE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
QH8KA4TCR
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
18377
DEELNUMMER
QH8KA4TCR-DG
EENHEIDSPRIJS
0.37
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
SQW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
