Fabrikant Productnummer:
SIR826BDP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR826BDP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
8976 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12966323
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR826BDP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3030 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR826
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR826BDP-T1-RE3DKR
SIR826BDP-T1-RE3CT
SIR826BDP-T1-RE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI5402BDC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
SUM85N03-06P-E3
MOSFET N-CH 30V 85A TO263
