SIR876BDP-T1-RE3
Fabrikant Productnummer:

SIR876BDP-T1-RE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR876BDP-T1-RE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

5475 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12958796
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR876BDP-T1-RE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3040 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR876BDP-T1-RE3CT
742-SIR876BDP-T1-RE3TR
742-SIR876BDP-T1-RE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPTC015N10NM5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP

vishay-siliconix

IRFP264PBF

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3

micro-commercial-components

MCU18N10-TP

MOSFET N-CH