SIR880ADP-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIR880ADP-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR880ADP-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

5940 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12964234
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR880ADP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2289 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR880

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR880ADP-T1-GE3TR
SIR880ADP-T1-GE3DKR
SIR880ADPT1GE3
SIR880ADP-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NTPF250N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K376R,LXHF

SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J168F,LXHF

SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE