Fabrikant Productnummer:
SIRA10BDP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIRA10BDP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
12919005
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIRA10BDP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Ta), 60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 43W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRA10
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIRA10BDP-T1-GE3CT
SIRA10BDP-T1-GE3TR
SIRA10BDP-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI5415AEDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
