Fabrikant Productnummer:
SIRA26DP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIRA26DP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 43.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
6000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12915679
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIRA26DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2247 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
43.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRA26
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIRA26DP-T1-RE3-DG
SIRA26DP-T1-RE3CT
SIRA26DP-T1-RE3TR
SIRA26DP-T1-RE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI1315DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
SI4486EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
BUK7660-100A,118
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
