SIRS4401DP-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIRS4401DP-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIRS4401DP-T1-GE3-DG

Beschrijving:

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 40 V 46.8A (Ta), 198A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

10980 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12998803
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIRS4401DP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
46.8A (Ta), 198A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
588 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
21850 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRS4401

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR
742-SIRS4401DP-T1-GE3TR
742-SIRS4401DP-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
taiwan-semiconductor

TSM180N03CS

30V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4436CS

60V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SISS5112DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

taiwan-semiconductor

TSM340N06CH

60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER