Fabrikant Productnummer:
SIS184LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIS184LDN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 18.7A (Ta), 69.4A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
5967 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987252
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIS184LDN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIS184LDN-T1-GE3DKR
742-SIS184LDN-T1-GE3CT
742-SIS184LDN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR5710DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
DMN2024UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
TW015N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
