Fabrikant Productnummer:
SIS407ADN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIS407ADN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
12786920
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIS407ADN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5875 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SIS407
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIS407ADN-T1-GE3DKR
SIS407ADN-T1-GE3CT
SIS407ADN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RF6E045AJTCR
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5448
DEELNUMMER
RF6E045AJTCR-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR640ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
SUP60N06-12P-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
