Fabrikant Productnummer:
SIS892DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIS892DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
7206 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787261
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIS892DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
611 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SIS892
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIS892DNT1GE3
SIS892DN-T1-GE3CT
SIS892DN-T1-GE3TR
SIS892DN-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SIHH21N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8