Fabrikant Productnummer:
SISB46DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISB46DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Voorraad:
8024 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917456
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISB46DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 20V
Vermogen - Max
23W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8 Dual
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis productnummer
SISB46
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISB46DN-T1-GE3CT
SISB46DN-T1-GE3DKR
SISB46DN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8
SI4565ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
SIA914DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
