Fabrikant Productnummer:
SISH536DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISH536DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Voorraad:
10564 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12950362
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISH536DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen V
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8SH
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISH536DN-T1-GE3CT
742-SISH536DN-T1-GE3TR
742-SISH536DN-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
SIHF080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
