Fabrikant Productnummer:
SISH615ADN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISH615ADN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 22.1A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Voorraad:
71932 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917488
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISH615ADN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen III
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
22.1A (Ta), 35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5590 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8SH
Basis productnummer
SISH615
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISH615ADN-T1-GE3CT
SISH615ADN-T1-GE3TR
SISH615ADN-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO