SISS42DN-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SISS42DN-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SISS42DN-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Voorraad:

12920751
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SISS42DN-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS42

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISS42DN-T1-GE3CT
SISS42DN-T1-GE3TR
SISS42DN-GE3
SISS42DN-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

vishay-siliconix

SUP50N10-21P-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB