Fabrikant Productnummer:
SISS588DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISS588DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Voorraad:
12974369
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISS588DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen V
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS588DN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
PJW5N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4441P-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
