Fabrikant Productnummer:
SIZ710DT-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIZ710DT-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Voorraad:
16612 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916635
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIZ710DT-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A, 35A
Rds aan (max) @ id, vgs
6.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 10V
Vermogen - Max
27W, 48W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-PowerPair™
Leverancier Device Pakket
6-PowerPair™
Basis productnummer
SIZ710
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIZ710DT-T1-GE3TR
SIZ710DT-T1-GE3DKR
SIZ710DTT1GE3
SIZ710DT-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SMMA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA907EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V SMD
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
