Fabrikant Productnummer:
SIZ918DT-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIZ918DT-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Voorraad:
21637 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787776
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIZ918DT-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A, 28A
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 15V
Vermogen - Max
29W, 100W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-PowerWDFN
Leverancier Device Pakket
8-PowerPair® (6x5)
Basis productnummer
SIZ918
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
