Fabrikant Productnummer:
SQ2318BES-T1_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQ2318BES-T1_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
3123 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12945160
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQ2318BES-T1_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
26.3mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SQ2318
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SQ2318BES-T1_GE3DKR
742-SQ2318BES-T1_GE3TR
742-SQ2318BES-T1_GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SQ2318AES-T1_GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
30231
DEELNUMMER
SQ2318AES-T1_GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.16
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
