SQD07N25-350H_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQD07N25-350H_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQD07N25-350H_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 250 V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Voorraad:

12965545
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQD07N25-350H_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
250 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1205 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SQD07

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
SQD07N25-350H_GE3DKR
SQD07N25-350H_GE3TR
SQD07N25-350H_GE3CT
SQD07N25-350H_GE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
panjit

PJQ2416_R1_00001

DFN2020B-6L, MOSFET

infineon-technologies

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8

vishay-siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

infineon-technologies

IPD60R600PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3