Fabrikant Productnummer:
SQD100N02-3M5L_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
1594 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916227
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQD100N02-3M5L_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SQD100
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
SQD100N02-3M5L_GE3CT
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
SQD100N02-3M5L_GE3DKR
SQD100N02-3M5L_GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
SIR876DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
SIHG47N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
