Fabrikant Productnummer:
SQD100N03-3M4_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQD100N03-3M4_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
12918428
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQD100N03-3M4_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
7349 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
136W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SQD100
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
SQD100N03-3M4_GE3-DG
SQD100N03-3M4_GE3TR
SQD100N03-3M4_GE3CT
SQD100N03-3M4_GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPD031N03LGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4331
DEELNUMMER
IPD031N03LGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.51
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
SIE812DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
