SQJ123ELP-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQJ123ELP-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJ123ELP-T1_GE3-DG

Beschrijving:

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

6000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12992674
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQJ123ELP-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
238A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
11680 pF @ 6 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SQJ123ELP-T1_GE3CT
742-SQJ123ELP-T1_GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FQD9N25TM-SBEK002

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

diodes

DMP22D5UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN2992UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3011SPSW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506