SQJ158EP-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQJ158EP-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJ158EP-T1_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

2840 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786047
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQJ158EP-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
33mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
45W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SQJ158

Datasheet & Documenten

Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SQJ158EP-T1_GE3CT
SQJ158EP-T1_GE3TR
SQJ158EP-T1_GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHP15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

vishay-siliconix

SIHB8N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263

vishay-siliconix

SIHJ8N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK