SQJ170ELP-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQJ170ELP-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJ170ELP-T1_GE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 63A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

3664 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12977800
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQJ170ELP-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
16.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1165 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
136W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SQJ170ELP

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SQJ170ELP-T1_GE3TR
742-SQJ170ELP-T1_GE3CT
742-SQJ170ELP-T1_GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQJ415EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2338DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3460BDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET