SQJ402EP-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQJ402EP-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJ402EP-T1_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

10929 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918491
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQJ402EP-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2289 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SQJ402

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SQJ402EP-T1_GE3DKR
SQJ402EP-T1_GE3CT
SQJ402EP-T1_GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI4324DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 36A 8SO

vishay-siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SUM70N03-09CP-E3

MOSFET N-CH 30V 70A TO263

vishay-siliconix

SI7860ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8