SQJ860EP-T1_BE3

Fabrikant Productnummer:

SQJ860EP-T1_BE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJ860EP-T1_BE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Voorraad:

6000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12977855

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

SQJ860EP-T1_BE3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

40 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

55 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

2700 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

48W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

PowerPAK® SO-8 Dual

Pakket / Doos

PowerPAK® SO-8 Dual

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

742-SQJ860EP-T1_BE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

vishay-siliconix

SIHD11N80AE-T4-GE3

N-CHANNEL 800V

vishay-siliconix

SQS482EN-T1_BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHP4N80E-BE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ868EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET