Fabrikant Productnummer:
SQJ962EP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQJ962EP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Voorraad:
12918009
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQJ962EP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 25V
Vermogen - Max
25W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8 Dual
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis productnummer
SQJ962
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SQJ992EP-T1_GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2942
DEELNUMMER
SQJ992EP-T1_GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.48
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4816DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
SI7501DN-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
