SQJA02EP-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQJA02EP-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQJA02EP-T1_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

2939 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786502
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQJA02EP-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
68W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SQJA02

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SQJA02EP-T1_GE3DKR
SQJA02EP-T1_GE3CT
SQJA02EP-T1_GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIR496DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50N03-12P-GE3

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252

vishay-siliconix

SIRA50DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK