SQM120N04-1M7L_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQM120N04-1M7L_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQM120N04-1M7L_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263

Voorraad:

2298 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786359
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQM120N04-1M7L_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
14606 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SQM120

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800
Andere namen
SQM120N04-1M7L-GE3TR-DG
SQM120N04-1M7L-GE3TR
SQM120N04-1M7L_GE3TR
SQM120N04-1M7L-GE3-DG
SQM120N04-1M7L-GE3CT-DG
SQM120N04-1M7L_GE3CT
SQM120N04-1M7L-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIRA90DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR632DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQM40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

vishay-siliconix

SIHG17N60D-GE3

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC