Fabrikant Productnummer:
SQP100P06-9M3L_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQP100P06-9M3L_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
12786238
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQP100P06-9M3L_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
12010 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
187W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SQP100
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SQP100P06-9M3L_GE3CT-DG
SQP100P06-9M3L_GE3CT
SQP100P06-9M3L_GE3DKR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TR
SQP100P06-9M3L_GE3DKR
SQP100P06-9M3L_GE3TR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE
SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
