SQS482ENW-T1_GE3
Fabrikant Productnummer:

SQS482ENW-T1_GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQS482ENW-T1_GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

Voorraad:

12916327
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQS482ENW-T1_GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1865 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8W
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8W
Basis productnummer
SQS482

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SQS482ENW-T1_GE3TR
SQS482ENW-T1_GE3CT
SQS482ENW-T1_GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263

vishay-siliconix

SIS476DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHG28N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 28A TO247AC

vishay-siliconix

SIHP22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB