SQW33N65EF-GE3
Fabrikant Productnummer:

SQW33N65EF-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SQW33N65EF-GE3-DG

Beschrijving:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD

Voorraad:

519 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12958940
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SQW33N65EF-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
109mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3972 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AD
Pakket / Doos
TO-247-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
480
Andere namen
742-SQW33N65EF-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPTG210N25NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

wolfspeed

E3M0075120K

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

renesas-electronics-america

NP90N06VDK-E1-AY

POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER

infineon-technologies

BSS169IXTSA1

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3