SUD08P06-155L-GE3
Fabrikant Productnummer:

SUD08P06-155L-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUD08P06-155L-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252

Voorraad:

18214 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12953890
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUD08P06-155L-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
155mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SUD08

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
SUD08P06-155L-GE3DKR
SUD08P06-155L-GE3CT
SUD08P06-155L-GE3TR
SUD08P06-155L-GE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

vishay-siliconix

IRFIB7N50APBF

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

diodes

ZVN2106ASTOA

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

vishay-siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8