Fabrikant Productnummer:
SUD19P06-60-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SUD19P06-60-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
72806 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12919827
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SUD19P06-60-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SUD19
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
SUD19P06-60-GE3TR
SUD19P06-60-GE3CT
SUD19P0660GE3
SUD19P06-60-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
