SUD35N10-26P-GE3
Fabrikant Productnummer:

SUD35N10-26P-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUD35N10-26P-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Voorraad:

1990 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12966513
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUD35N10-26P-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SUD35

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SUD35N10-26P

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
SUD35N10-26P-GE3TR
SUD35N10-26P-GE3DKR
SUD35N10-26P-GE3CT
SUD35N1026PGE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
SUD35N10-26P-BE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1835
DEELNUMMER
SUD35N10-26P-BE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.82
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DEELNUMMER
SUD35N10-26P-E3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
310
DEELNUMMER
SUD35N10-26P-E3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.81
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
FDD86102
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
9890
DEELNUMMER
FDD86102-DG
EENHEIDSPRIJS
0.66
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
littelfuse

IXTQ48N65X2M

DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P

littelfuse

IXTH2N150

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

diodes

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10