Fabrikant Productnummer:
SUP57N20-33-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SUP57N20-33-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
478 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12921123
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SUP57N20-33-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
33mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP57
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SUP57N2033E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHP15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
SIA411DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHG14N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
